Литография В Микроэлектронике Реферат' title='Литография В Микроэлектронике Реферат' />Электроника НТБ научно технический журнал Электроника НТБСегодня для изготовления микросхем с нанометровыми проектными нормами разработчиков привлекают литография с использованием экстремального, или жесткого УФ излучения EUV, иммерсионная глубокая УФ литография с двойным экспонированием и безмасочная электронно лучевая. Каковы достоинства и недостатки технологий литографии Каковы перспективы их применения Пока масштабирование элементов микросхем продолжается, и в этом году можно ожидать освоения производства микросхем с 2. Южнокорейский полупроводниковый гигант  компания Samsung  намерен уже в конце 2. Fin. FET. Но 1. 4 нм и менее технологии потребуют коренных изменений структуры микросхем и методов их формирования. На прошедшей в декабре 2. Международной конференции IEDM рассматривались достоинства и недостатки различных технологий будущих микросхем с 1х нм топологическими нормами трехмерных на основе транзисторов Fin. FET, Si. Ge транзисторах, полупроводниковых соединениях III V, туннельных полевых транзисторах, на полностью обедненном кремнии на изоляторе Fully Depleted Silicon On Insulator, FD SOI планарных на чрезвычайно тонкой КНИ подложке ETSOI технология. Однако с достижением числовой апертуры, равной 1,3. Для освоения 2х нм технологии уже нужна литография следующего поколения Next Generation Lithography, NGL. Но как до сих пор однозначно не сделан выбор будущей микроэлектронной технологии, так и не определен метод литографии следующего поколения, наиболее пригодный для реализации массового производства High Volume Manufacturing, HVM новейших нанометровых микросхем. Будет ли это 1. 93 нм иммерсионная литография глубокая УФ с двойным double patterning или многократным экспонированием, EUV технология, литография с направленной самоорганизацией Direct Self Aligned, DSA блок сополимеров или безмасочная электронно лучевая технология В 2. Sematech форуме Litho Forum 2. EUV, тогда как 3. Литография, оптическая иначе фотолитография photolitigraphy англ. Однако на вопрос о том, какую технологию они будут применять в действительности, только 5,6 респондентов выбрали EUV, а 7. В 2. 01. 62. 01. EUV технологией и еще 2. Доля компаний, намеренных применять двойное экспонирование, составила всего 1. Но сейчас все еще самыми перспективными считаются иммерсионная и EUV технологии. Проблемы EUV литографии. Сегодня ни одна компания, даже такая, как IBM или Samsung, не располагает достаточными средствами для решения всех проблем, возникающих при освоении новой технологии. История, наши дни и будущее микроэлектроники. Но главное в течение 60х гг. Обзоры, рефераты, рецензии. Нанотехнологии в микроэлектронике. Фотолитогра. Принципиальное отличие фотолитографии от других видов литографии заключается в том,. Развитии литографических процессов и основные принципы их реализации. Технология литографических процессов Учебное пособие. Первым шагом к возникновению микроэлектроники был переход от электронных. Об этом свидетельствуют трудности, связанные с освоением EUV литографии в массовом производстве. Многие производители микросхем готовы к применению литографии жесткого ультрафиолета. В наноцентре Олбани уже введено в строй обещанное IBM штату Нью Йорк здание под EUV литографию. Но пока оно пустует. Созданы и работают установки жесткой УФ литографии. Так, компания ASML еще в 2. IMEC литографическую установку NXE 3. Вероятное будущее производства микроэлектроники безмасочная многолучевая электронная литография от Mapper Lithography. ИНФОРМАТИКИ Реферат на тему Нанолитография Выполнил студент 4го курса. Литографией в микроэлектронике называют различные методы. Литографии в микроэлектронике. Методическое пособие для студентов ФОПФ МФТИ и описания лабораторных работ в ИФТТ РАН. А. Н. Россоленко. ASML с источником жесткого УФ излучения, генерируемого с помощью возбуждаемой разрядом плазмы Discharge Produced Plasma, DPP. Разрешение ее составляло 2. В режиме одиночного экспонирования за год было обработано около 3 тыс. Но такой показатель слишком мал и не соответствует требованиям крупносерийного производства таких компаний, как Intel, Samsung, Global. Foundries, TSMC и др. Поскольку длина волны жесткого ультрафиолета составляет 1. EUV литографии вместо полностью поглощающих излучение линз, используется отражающая система многослойных зеркал. Фотошаблоны, которые традиционно являются пропускающими, также должны быть отражающими. Кроме того, нужно, чтобы вся система находилась в вакууме, поскольку световые волны EUV диапазона поглощаются воздухом. Тем не менее, система отражающих зеркал и фотошаблоны могут поглощать до. Следовательно, для обеспечения коммерческих объемов выпуска микросхем мощность источников EUV установок должна быть не менее 2. Вт, тогда как сейчас она не превышает 1. Вт. Отсутствуют необходимые фоторезистивные материалы, бездефектные маски, метрологическое оборудование и другие компоненты, без которых проведение процесса фотолитографии невозможно. Вот почему прогнозировавшееся в начале 2. EUV литографии не состоялось. Установок с необходимыми мощными источниками нет и сейчас, и для освоения производства микросхем с 2х нм нормами пришлось вновь обратиться к 1. Возможно использование EUV литографии для выполнения критически важных слоев и иммерсионной литографии для остальных слоев правда, в этом варианте необходимо обеспечивать точное совмещение фотошаблонов. Но при двойном экспонировании не говоря о многократном затраты на проведение 1. Стоимость микросхем с проектными нормами 1. Следует отметить и высокую стоимость фотошаблонов цена одного шаблона для формирования микросхемы с 9. Таким образом, по видимому, резкого снижения цен на микросхемы с нормами 1. Программа Для Обнуления Картриджей Hp далее. Но пока компания Intel считает экономически эффективным производство микросхем на основе транзисторов Fin. FET с проектными нормами вплоть до 1. Как отметил руководитель работ по архитектуре и интеграции микросхем Марк Бор, компания хотела бы использовать EUV технологию при изготовлении 1. Однако маловероятно, что все ее проблемы будут решены к моменту создания микросхем с такими нормами. Как и Intel, компании, разрабатывающие сложные высокопроизводительные микросхемы, считают, что литография жесткого УФ излучения найдет применение в производстве лишь при освоении 7 нм технологии. Правда, специалисты компании Global. Foundries утверждают, что смогут изготавливать с помощью иммерсионной литографии и схемы с 7 нм нормами, хотя и не исключают возможность перевода основных операций на EUV литографию. Рассмотрение EUV литографии как будущей производственной технологии нанометровых микросхем не удивительно, поскольку продление. По данным Barclays Capital инвестиционное подразделение крупнейшего банка Великобритании Barclays Bank PLC, предлагающее услуги по стратегическому консультированию, переход от одиночного экспонирования к многократному увеличит стоимость процесса литографии на 5. Как отмечают эксперты Barclays, при производстве схем с 2. В результате изготовитель при обработке 1. Но для создания оборудования литографии жесткого ультрафиолета, пригодного для массового производства нанометровых микросхем, помимо увеличения мощности источника УФ излучения, необходимо решить и такие проблемы, как получение бездефектных фотошаблонов создание инфраструктуры контроля и анализа дефектов повышение долгосрочной надежности источника излучения улучшение разрешения и чувствительности резиста уменьшение размытости линий. Поставленные перед разработчиками систем EUV литографии задачи и существующие проблемы столь сложны и ресурсоемки, что требуют привлечения к их решению производителей микросхем. Сегодня крупнейший поставщик сложнейшего литографического оборудования полупроводниковой промышленности  голландская компания ASML, на долю которой приходится более 8. В 2. 01. 1 году, по данным VLSI Research, компания заняла первое место в перечне крупнейших поставщиков этих систем, опередив Applied Materials. Компания Nikon основной конкурент ASML в области создания систем EUV литографии  заняла лишь седьмое место и не намерена проводить работы по совершенствованию оборудования литографии в жестком ультрафиолете до 2. Для расширения работ в области литографии ASML в октябре 2. Cymer  производителя источников глубокого и жесткого УФ излучения. Кроме того, ASML в июле 2. НИОКР по будущим программам развития работ, направленных на совершенствование оборудования жесткой УФ литографии, которое перспективно для обработки пластин диаметром 4. Потребители, участвующие в программе, разделяют риски и финансовое бремя по доведению оборудования EUV литографии до промышленного уровня. Но в случае успеха они имеют приоритет в получении этого оборудования.